Содержание
Компания Samsung начала массовое производство однотерабайтного хранилища eUFS 2.1, о котором компания объявила сегодня. Заявление поступило после слухов о том, что компания представит вариант Galaxy S10 с терабайтом памяти. Флэш-накопитель большой емкости использует то же физическое пространство, что и анонсированная ранее флэш-память объемом 512 ГБ, найденная в старшей версии Galaxy Note 9.
Хранилище основано на передовой технологии флэш-памяти Samsung V-NAND, которая имеет повышенную плотность, более низкие требования к питанию и, как правило, более высокие скорости. Он использует вертикальное наложение отдельных ячеек NAND, что намного эффективнее, чем горизонтальное слоистое расположение обычных NAND.
Что могут ожидать пользователи?
Хотя Samsung утверждает, что хранилище на основе eUFS 2.1 может достигать скорости последовательного чтения до 1000 мегабайт в секунду, вы вряд ли достигнете этого числа при реальном использовании. Более важны случайные скорости, и предварительные данные, опубликованные Samsung, показывают, что они тоже немного улучшились.
В частности, произвольная скорость записи должна помочь в таких приложениях, как непрерывная съемка в высоком кадре. До сих пор большинство телефонов были ограничены несколькими секундами захвата видео с высокой частотой кадров. Samsung утверждает, что более высоких скоростей чтения и записи в новом 1-терабайтном хранилище на основе V-NAND будет достаточно для непрерывной долгосрочной записи видео со скоростью 960 кадров в секунду.
Производство флэш-накопителей началось на заводе Samsung в Пхёнтэке, Корея, и мы ожидаем услышать о выпуске телефонов с запоминающим устройством большой емкости на MWC. Принимая во внимание предыдущее предположение и подтвержденный запуск Galaxy S10 20 февраля, есть большая вероятность, что мы увидим хранилище, включенное в версию этого телефона.
Что вы думаете о терабайтах памяти на телефоне? Вы носите с собой достаточно носителей, чтобы оправдать высокую пропускную способность, или вы выбрали облачное будущее?
